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参数目录49425
> BLF6G10LS-135RN:11 TRANS LDMOS POWER 135W SOT-502B
型号:
BLF6G10LS-135RN:11
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
TRANS LDMOS POWER 135W SOT-502B
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> RF FET
BLF6G10LS-135RN:11 PDF
标准包装
20
系列
-
晶体管类型
LDMOS
频率
871.5MHz ~ 891.5MHz
增益
21dB
电压 - 测试
28V
额定电流
32A
噪音数据
-
电流 - 测试
950mA
功率 - 输出
26.5W
电压 - 额定
65V
封装/外壳
SOT-502B
供应商设备封装
LDMOST
包装
托盘
其它名称
568-8636
934063207112
BLF6G10LS-135RN:11-ND
查看BLF6G10LS-135RN:11代理商
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